NTD12N10T4G
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
Číslo dílu
NTD12N10T4G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
165 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48267 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTD12N10T4G
NTD12N10T4G Elektronické komponenty
NTD12N10T4G Odbyt
NTD12N10T4G Dodavatel
NTD12N10T4G Distributor
NTD12N10T4G Datová tabulka
NTD12N10T4G Fotky
NTD12N10T4G Cena
NTD12N10T4G Nabídka
NTD12N10T4G Nejnižší cena
NTD12N10T4G Vyhledávání
NTD12N10T4G Nákup
NTD12N10T4G Chip