Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTD20N03L27-1G
MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
Číslo dílu
NTD20N03L27-1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
I-PAK
Ztráta energie (max.)
1.75W (Ta), 74W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
27 mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18.9nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1260pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 5V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6738 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTD20N03L27-1G
NTD20N03L27-1G Elektronické komponenty
NTD20N03L27-1G Odbyt
NTD20N03L27-1G Dodavatel
NTD20N03L27-1G Distributor
NTD20N03L27-1G Datová tabulka
NTD20N03L27-1G Fotky
NTD20N03L27-1G Cena
NTD20N03L27-1G Nabídka
NTD20N03L27-1G Nejnižší cena
NTD20N03L27-1G Vyhledávání
NTD20N03L27-1G Nákup
NTD20N03L27-1G Chip