Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTD23N03R-001
MOSFET N-CH 25V 3.8A IPAK
Číslo dílu
NTD23N03R-001
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
I-PAK
Ztráta energie (max.)
1.14W (Ta), 22.3W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.8A (Ta), 17.1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
45 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
3.76nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
225pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 5V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9275 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTD23N03R-001
NTD23N03R-001 Elektronické komponenty
NTD23N03R-001 Odbyt
NTD23N03R-001 Dodavatel
NTD23N03R-001 Distributor
NTD23N03R-001 Datová tabulka
NTD23N03R-001 Fotky
NTD23N03R-001 Cena
NTD23N03R-001 Nabídka
NTD23N03R-001 Nejnižší cena
NTD23N03R-001 Vyhledávání
NTD23N03R-001 Nákup
NTD23N03R-001 Chip