Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTD60N02R-1G
MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK
Číslo dílu
NTD60N02R-1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
I-PAK
Ztráta energie (max.)
1.25W (Ta), 58W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.5A (Ta), 32A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1330pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14645 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTD60N02R-1G
NTD60N02R-1G Elektronické komponenty
NTD60N02R-1G Odbyt
NTD60N02R-1G Dodavatel
NTD60N02R-1G Distributor
NTD60N02R-1G Datová tabulka
NTD60N02R-1G Fotky
NTD60N02R-1G Cena
NTD60N02R-1G Nabídka
NTD60N02R-1G Nejnižší cena
NTD60N02R-1G Vyhledávání
NTD60N02R-1G Nákup
NTD60N02R-1G Chip