Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTHD2110TT1G
MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
Číslo dílu
NTHD2110TT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SMD, Flat Lead
Dodavatelský balíček zařízení
ChipFET™
Ztráta energie (max.)
1.1W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
40 mOhm @ 6.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
850mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1072pF @ 6V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23382 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTHD2110TT1G
NTHD2110TT1G Elektronické komponenty
NTHD2110TT1G Odbyt
NTHD2110TT1G Dodavatel
NTHD2110TT1G Distributor
NTHD2110TT1G Datová tabulka
NTHD2110TT1G Fotky
NTHD2110TT1G Cena
NTHD2110TT1G Nabídka
NTHD2110TT1G Nejnižší cena
NTHD2110TT1G Vyhledávání
NTHD2110TT1G Nákup
NTHD2110TT1G Chip