NTJS3151PT1G
MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
Číslo dílu
NTJS3151PT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Dodavatelský balíček zařízení
SC-88/SC70-6/SOT-363
Ztráta energie (max.)
625mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
60 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
850pF @ 12V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7602 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTJS3151PT1G
NTJS3151PT1G Elektronické komponenty
NTJS3151PT1G Odbyt
NTJS3151PT1G Dodavatel
NTJS3151PT1G Distributor
NTJS3151PT1G Datová tabulka
NTJS3151PT1G Fotky
NTJS3151PT1G Cena
NTJS3151PT1G Nabídka
NTJS3151PT1G Nejnižší cena
NTJS3151PT1G Vyhledávání
NTJS3151PT1G Nákup
NTJS3151PT1G Chip