Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTLJD3115PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
Číslo dílu
NTLJD3115PT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-WDFN Exposed Pad
Výkon - Max
710mW
Dodavatelský balíček zařízení
6-WDFN (2x2)
Typ FET
2 P-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.3A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.2nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
531pF @ 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23423 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTLJD3115PT1G
NTLJD3115PT1G Elektronické komponenty
NTLJD3115PT1G Odbyt
NTLJD3115PT1G Dodavatel
NTLJD3115PT1G Distributor
NTLJD3115PT1G Datová tabulka
NTLJD3115PT1G Fotky
NTLJD3115PT1G Cena
NTLJD3115PT1G Nabídka
NTLJD3115PT1G Nejnižší cena
NTLJD3115PT1G Vyhledávání
NTLJD3115PT1G Nákup
NTLJD3115PT1G Chip