Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTLJD3182FZTBG
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
Číslo dílu
NTLJD3182FZTBG
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-WDFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
6-WDFN (2x2)
Ztráta energie (max.)
710mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.8nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
450pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20209 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTLJD3182FZTBG
NTLJD3182FZTBG Elektronické komponenty
NTLJD3182FZTBG Odbyt
NTLJD3182FZTBG Dodavatel
NTLJD3182FZTBG Distributor
NTLJD3182FZTBG Datová tabulka
NTLJD3182FZTBG Fotky
NTLJD3182FZTBG Cena
NTLJD3182FZTBG Nabídka
NTLJD3182FZTBG Nejnižší cena
NTLJD3182FZTBG Vyhledávání
NTLJD3182FZTBG Nákup
NTLJD3182FZTBG Chip