Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTLJS3A18PZTWG
MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6
Číslo dílu
NTLJS3A18PZTWG
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-WDFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
6-WDFN (2x2)
Ztráta energie (max.)
700mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
18 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2240pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51332 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTLJS3A18PZTWG
NTLJS3A18PZTWG Elektronické komponenty
NTLJS3A18PZTWG Odbyt
NTLJS3A18PZTWG Dodavatel
NTLJS3A18PZTWG Distributor
NTLJS3A18PZTWG Datová tabulka
NTLJS3A18PZTWG Fotky
NTLJS3A18PZTWG Cena
NTLJS3A18PZTWG Nabídka
NTLJS3A18PZTWG Nejnižší cena
NTLJS3A18PZTWG Vyhledávání
NTLJS3A18PZTWG Nákup
NTLJS3A18PZTWG Chip