NTS2101PT1G
MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323
Číslo dílu
NTS2101PT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SC-70, SOT-323
Dodavatelský balíček zařízení
SC-70-3 (SOT323)
Ztráta energie (max.)
290mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
8V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.4nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
640pF @ 8V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30840 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTS2101PT1G
NTS2101PT1G Elektronické komponenty
NTS2101PT1G Odbyt
NTS2101PT1G Dodavatel
NTS2101PT1G Distributor
NTS2101PT1G Datová tabulka
NTS2101PT1G Fotky
NTS2101PT1G Cena
NTS2101PT1G Nabídka
NTS2101PT1G Nejnižší cena
NTS2101PT1G Vyhledávání
NTS2101PT1G Nákup
NTS2101PT1G Chip