Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NVB5860NLT4G
MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK
Číslo dílu
NVB5860NLT4G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Last Time Buy
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK-3
Ztráta energie (max.)
283W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
220A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
220nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
13216pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30329 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NVB5860NLT4G
NVB5860NLT4G Elektronické komponenty
NVB5860NLT4G Odbyt
NVB5860NLT4G Dodavatel
NVB5860NLT4G Distributor
NVB5860NLT4G Datová tabulka
NVB5860NLT4G Fotky
NVB5860NLT4G Cena
NVB5860NLT4G Nabídka
NVB5860NLT4G Nejnižší cena
NVB5860NLT4G Vyhledávání
NVB5860NLT4G Nákup
NVB5860NLT4G Chip