Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NVB6412ANT4G
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Číslo dílu
NVB6412ANT4G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Last Time Buy
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK-3
Ztráta energie (max.)
167W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
18.2 mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46971 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NVB6412ANT4G
NVB6412ANT4G Elektronické komponenty
NVB6412ANT4G Odbyt
NVB6412ANT4G Dodavatel
NVB6412ANT4G Distributor
NVB6412ANT4G Datová tabulka
NVB6412ANT4G Fotky
NVB6412ANT4G Cena
NVB6412ANT4G Nabídka
NVB6412ANT4G Nejnižší cena
NVB6412ANT4G Vyhledávání
NVB6412ANT4G Nákup
NVB6412ANT4G Chip