NVTR01P02LT1G
MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23
Číslo dílu
NVTR01P02LT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-23-3
Ztráta energie (max.)
400mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
220 mOhm @ 750mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.25V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
3.1nC @ 4V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
225pF @ 5V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52447 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NVTR01P02LT1G
NVTR01P02LT1G Elektronické komponenty
NVTR01P02LT1G Odbyt
NVTR01P02LT1G Dodavatel
NVTR01P02LT1G Distributor
NVTR01P02LT1G Datová tabulka
NVTR01P02LT1G Fotky
NVTR01P02LT1G Cena
NVTR01P02LT1G Nabídka
NVTR01P02LT1G Nejnižší cena
NVTR01P02LT1G Vyhledávání
NVTR01P02LT1G Nákup
NVTR01P02LT1G Chip