Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
H5N2522LSTL-E

H5N2522LSTL-E

MOSFET N-CH 250V 20A LDPAK
Číslo dílu
H5N2522LSTL-E
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SC-83
Dodavatelský balíček zařízení
4-LDPAK
Ztráta energie (max.)
75W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
180 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32562 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova H5N2522LSTL-E
H5N2522LSTL-E Elektronické komponenty
H5N2522LSTL-E Odbyt
H5N2522LSTL-E Dodavatel
H5N2522LSTL-E Distributor
H5N2522LSTL-E Datová tabulka
H5N2522LSTL-E Fotky
H5N2522LSTL-E Cena
H5N2522LSTL-E Nabídka
H5N2522LSTL-E Nejnižší cena
H5N2522LSTL-E Vyhledávání
H5N2522LSTL-E Nákup
H5N2522LSTL-E Chip