Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RJK1003DPN-E0#T2
MOSFET N-CH 100V 50A TO220
Číslo dílu
RJK1003DPN-E0#T2
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
59nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4150pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10628 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RJK1003DPN-E0#T2
RJK1003DPN-E0#T2 Elektronické komponenty
RJK1003DPN-E0#T2 Odbyt
RJK1003DPN-E0#T2 Dodavatel
RJK1003DPN-E0#T2 Distributor
RJK1003DPN-E0#T2 Datová tabulka
RJK1003DPN-E0#T2 Fotky
RJK1003DPN-E0#T2 Cena
RJK1003DPN-E0#T2 Nabídka
RJK1003DPN-E0#T2 Nejnižší cena
RJK1003DPN-E0#T2 Vyhledávání
RJK1003DPN-E0#T2 Nákup
RJK1003DPN-E0#T2 Chip