Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RQK0607AQDQS#H1
MOSFET N-CH
Číslo dílu
RQK0607AQDQS#H1
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-243AA
Dodavatelský balíček zařízení
UPAK
Ztráta energie (max.)
1.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.4A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
270 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
170pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14982 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RQK0607AQDQS#H1
RQK0607AQDQS#H1 Elektronické komponenty
RQK0607AQDQS#H1 Odbyt
RQK0607AQDQS#H1 Dodavatel
RQK0607AQDQS#H1 Distributor
RQK0607AQDQS#H1 Datová tabulka
RQK0607AQDQS#H1 Fotky
RQK0607AQDQS#H1 Cena
RQK0607AQDQS#H1 Nabídka
RQK0607AQDQS#H1 Nejnižší cena
RQK0607AQDQS#H1 Vyhledávání
RQK0607AQDQS#H1 Nákup
RQK0607AQDQS#H1 Chip