Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RT7021BGN
IC HI-SIDE MOSFET SWITCH DIP8
Číslo dílu
RT7021BGN
Výrobce/značka
Stav sekce
Obsolete
Typ vstupu
Non-Inverting
Provozní teplota
-40°C ~ 125°C (TA)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Dodavatelský balíček zařízení
8-DIP
Zdroj napětí
13 V ~ 20 V
Typ kanálu
Independent
Řízená konfigurace
High-Side or Low-Side
Počet řidičů
2
Typ brány
IGBT, N-Channel MOSFET
Logické napětí - VIL, VIH
0.8V, 2.5V
Proud – špičkový výstup (zdroj, jímka)
300mA, 600mA
Vysoké boční napětí – Max (Bootstrap)
600V
Časy nahoru/dolů (Tip)
70ns, 35ns
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41169 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RT7021BGN
RT7021BGN Elektronické komponenty
RT7021BGN Odbyt
RT7021BGN Dodavatel
RT7021BGN Distributor
RT7021BGN Datová tabulka
RT7021BGN Fotky
RT7021BGN Cena
RT7021BGN Nabídka
RT7021BGN Nejnižší cena
RT7021BGN Vyhledávání
RT7021BGN Nákup
RT7021BGN Chip