RCD041N25TL
MOSFET N-CH 250V 4A CPT3
Číslo dílu
RCD041N25TL
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
CPT3
Ztráta energie (max.)
850mW (Ta), 20W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1300 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29689 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RCD041N25TL
RCD041N25TL Elektronické komponenty
RCD041N25TL Odbyt
RCD041N25TL Dodavatel
RCD041N25TL Distributor
RCD041N25TL Datová tabulka
RCD041N25TL Fotky
RCD041N25TL Cena
RCD041N25TL Nabídka
RCD041N25TL Nejnižší cena
RCD041N25TL Vyhledávání
RCD041N25TL Nákup
RCD041N25TL Chip