RD3H080SPTL1
PCH -45V -8A POWER MOSFET
Číslo dílu
RD3H080SPTL1
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252
Ztráta energie (max.)
15W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
45V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
91 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1000pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32189 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RD3H080SPTL1
RD3H080SPTL1 Elektronické komponenty
RD3H080SPTL1 Odbyt
RD3H080SPTL1 Dodavatel
RD3H080SPTL1 Distributor
RD3H080SPTL1 Datová tabulka
RD3H080SPTL1 Fotky
RD3H080SPTL1 Cena
RD3H080SPTL1 Nabídka
RD3H080SPTL1 Nejnižší cena
RD3H080SPTL1 Vyhledávání
RD3H080SPTL1 Nákup
RD3H080SPTL1 Chip