Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RD3L080SNTL1
NCH 60V 8A POWER MOSFET
Číslo dílu
RD3L080SNTL1
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252
Ztráta energie (max.)
15W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
80 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.4nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
380pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44069 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RD3L080SNTL1
RD3L080SNTL1 Elektronické komponenty
RD3L080SNTL1 Odbyt
RD3L080SNTL1 Dodavatel
RD3L080SNTL1 Distributor
RD3L080SNTL1 Datová tabulka
RD3L080SNTL1 Fotky
RD3L080SNTL1 Cena
RD3L080SNTL1 Nabídka
RD3L080SNTL1 Nejnižší cena
RD3L080SNTL1 Vyhledávání
RD3L080SNTL1 Nákup
RD3L080SNTL1 Chip