RD3U080CNTL1
NCH 250V 8A POWER MOSFET
Číslo dílu
RD3U080CNTL1
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252
Ztráta energie (max.)
85W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
300 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1440pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47719 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RD3U080CNTL1
RD3U080CNTL1 Elektronické komponenty
RD3U080CNTL1 Odbyt
RD3U080CNTL1 Dodavatel
RD3U080CNTL1 Distributor
RD3U080CNTL1 Datová tabulka
RD3U080CNTL1 Fotky
RD3U080CNTL1 Cena
RD3U080CNTL1 Nabídka
RD3U080CNTL1 Nejnižší cena
RD3U080CNTL1 Vyhledávání
RD3U080CNTL1 Nákup
RD3U080CNTL1 Chip