Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RGTH00TS65GC11
IGBT 650V 85A 277W TO-247N
Číslo dílu
RGTH00TS65GC11
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Typ vstupu
Standard
Provozní teplota
-40°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Výkon - Max
277W
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247N
Reverzní doba zotavení (trr)
-
Proud – kolektor (Ic) (Max)
85A
Napětí – porucha kolektoru emitoru (max.)
650V
typ IGBT
Trench Field Stop
Vce (aktivní) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 50A
Proud – pulzující kolektor (ICM)
200A
Přechod energie
-
Poplatky za bránu
94nC
BP (zapnuto/vypnuto) @ 25 °C
39ns/143ns
Zkouška stavu
400V, 50A, 10 Ohm, 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13903 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RGTH00TS65GC11
RGTH00TS65GC11 Elektronické komponenty
RGTH00TS65GC11 Odbyt
RGTH00TS65GC11 Dodavatel
RGTH00TS65GC11 Distributor
RGTH00TS65GC11 Datová tabulka
RGTH00TS65GC11 Fotky
RGTH00TS65GC11 Cena
RGTH00TS65GC11 Nabídka
RGTH00TS65GC11 Nejnižší cena
RGTH00TS65GC11 Vyhledávání
RGTH00TS65GC11 Nákup
RGTH00TS65GC11 Chip