RND030N20TL
MOSFET N-CH 200V 3A CPT3
Číslo dílu
RND030N20TL
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
CPT3
Ztráta energie (max.)
850mW (Ta), 20W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
870 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.2V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.7nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
270pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49753 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RND030N20TL
RND030N20TL Elektronické komponenty
RND030N20TL Odbyt
RND030N20TL Dodavatel
RND030N20TL Distributor
RND030N20TL Datová tabulka
RND030N20TL Fotky
RND030N20TL Cena
RND030N20TL Nabídka
RND030N20TL Nejnižší cena
RND030N20TL Vyhledávání
RND030N20TL Nákup
RND030N20TL Chip