RQ1C065UNTR
MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
Číslo dílu
RQ1C065UNTR
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SMD, Flat Lead
Dodavatelský balíček zařízení
TSMT8
Ztráta energie (max.)
700mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
22 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
870pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12525 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RQ1C065UNTR
RQ1C065UNTR Elektronické komponenty
RQ1C065UNTR Odbyt
RQ1C065UNTR Dodavatel
RQ1C065UNTR Distributor
RQ1C065UNTR Datová tabulka
RQ1C065UNTR Fotky
RQ1C065UNTR Cena
RQ1C065UNTR Nabídka
RQ1C065UNTR Nejnižší cena
RQ1C065UNTR Vyhledávání
RQ1C065UNTR Nákup
RQ1C065UNTR Chip