RQ7E110AJTCR
NCH 30V 11A MIDDLE POWER MOSFET
Číslo dílu
RQ7E110AJTCR
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SMD, Flat Lead
Dodavatelský balíček zařízení
TSMT8
Ztráta energie (max.)
1.5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 4.5A, 11V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 10mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2410pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21937 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RQ7E110AJTCR
RQ7E110AJTCR Elektronické komponenty
RQ7E110AJTCR Odbyt
RQ7E110AJTCR Dodavatel
RQ7E110AJTCR Distributor
RQ7E110AJTCR Datová tabulka
RQ7E110AJTCR Fotky
RQ7E110AJTCR Cena
RQ7E110AJTCR Nabídka
RQ7E110AJTCR Nejnižší cena
RQ7E110AJTCR Vyhledávání
RQ7E110AJTCR Nákup
RQ7E110AJTCR Chip