RS1E150GNTB
MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP
Číslo dílu
RS1E150GNTB
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerTDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-HSOP
Ztráta energie (max.)
3W (Ta), 22.9W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
15A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
590pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32603 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RS1E150GNTB
RS1E150GNTB Elektronické komponenty
RS1E150GNTB Odbyt
RS1E150GNTB Dodavatel
RS1E150GNTB Distributor
RS1E150GNTB Datová tabulka
RS1E150GNTB Fotky
RS1E150GNTB Cena
RS1E150GNTB Nabídka
RS1E150GNTB Nejnižší cena
RS1E150GNTB Vyhledávání
RS1E150GNTB Nákup
RS1E150GNTB Chip