RSD201N10TL
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
Číslo dílu
RSD201N10TL
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
CPT3
Ztráta energie (max.)
850mW (Ta), 20W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
46 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2100pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51169 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RSD201N10TL
RSD201N10TL Elektronické komponenty
RSD201N10TL Odbyt
RSD201N10TL Dodavatel
RSD201N10TL Distributor
RSD201N10TL Datová tabulka
RSD201N10TL Fotky
RSD201N10TL Cena
RSD201N10TL Nabídka
RSD201N10TL Nejnižší cena
RSD201N10TL Vyhledávání
RSD201N10TL Nákup
RSD201N10TL Chip