RUE002N02TL
MOSFET N-CH 20V .2A EMT3
Číslo dílu
RUE002N02TL
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SC-75, SOT-416
Dodavatelský balíček zařízení
EMT3
Ztráta energie (max.)
150mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
25pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.2V, 2.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17915 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RUE002N02TL
RUE002N02TL Elektronické komponenty
RUE002N02TL Odbyt
RUE002N02TL Dodavatel
RUE002N02TL Distributor
RUE002N02TL Datová tabulka
RUE002N02TL Fotky
RUE002N02TL Cena
RUE002N02TL Nabídka
RUE002N02TL Nejnižší cena
RUE002N02TL Vyhledávání
RUE002N02TL Nákup
RUE002N02TL Chip