RUF020N02TL
MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
Číslo dílu
RUF020N02TL
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
3-SMD, Flat Leads
Dodavatelský balíček zařízení
TUMT3
Ztráta energie (max.)
320mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
105 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36701 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RUF020N02TL
RUF020N02TL Elektronické komponenty
RUF020N02TL Odbyt
RUF020N02TL Dodavatel
RUF020N02TL Distributor
RUF020N02TL Datová tabulka
RUF020N02TL Fotky
RUF020N02TL Cena
RUF020N02TL Nabídka
RUF020N02TL Nejnižší cena
RUF020N02TL Vyhledávání
RUF020N02TL Nákup
RUF020N02TL Chip