Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SCT3030KLGC11
MOSFET NCH 1.2KV 72A TO247N
Číslo dílu
SCT3030KLGC11
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
SiCFET (Silicon Carbide)
Provozní teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247N
Ztráta energie (max.)
339W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
72A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
39 mOhm @ 27A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 13.3mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
131nC @ 18V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2222pF @ 800V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
18V
VGS (max.)
+22V, -4V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35435 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SCT3030KLGC11
SCT3030KLGC11 Elektronické komponenty
SCT3030KLGC11 Odbyt
SCT3030KLGC11 Dodavatel
SCT3030KLGC11 Distributor
SCT3030KLGC11 Datová tabulka
SCT3030KLGC11 Fotky
SCT3030KLGC11 Cena
SCT3030KLGC11 Nabídka
SCT3030KLGC11 Nejnižší cena
SCT3030KLGC11 Vyhledávání
SCT3030KLGC11 Nákup
SCT3030KLGC11 Chip