US6J11TR
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
Číslo dílu
US6J11TR
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Výkon - Max
320mW
Dodavatelský balíček zařízení
UMT6
Typ FET
2 P-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.3A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
2.4nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 6V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14557 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova US6J11TR
US6J11TR Elektronické komponenty
US6J11TR Odbyt
US6J11TR Dodavatel
US6J11TR Distributor
US6J11TR Datová tabulka
US6J11TR Fotky
US6J11TR Cena
US6J11TR Nabídka
US6J11TR Nejnižší cena
US6J11TR Vyhledávání
US6J11TR Nákup
US6J11TR Chip