Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
VT6M1T2CR
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Číslo dílu
VT6M1T2CR
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-SMD, Flat Leads
Výkon - Max
120mW
Dodavatelský balíček zařízení
VMT6
Typ FET
N and P-Channel
Funkce FET
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100mA
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7.1pF @ 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40691 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova VT6M1T2CR
VT6M1T2CR Elektronické komponenty
VT6M1T2CR Odbyt
VT6M1T2CR Dodavatel
VT6M1T2CR Distributor
VT6M1T2CR Datová tabulka
VT6M1T2CR Fotky
VT6M1T2CR Cena
VT6M1T2CR Nabídka
VT6M1T2CR Nejnižší cena
VT6M1T2CR Vyhledávání
VT6M1T2CR Nákup
VT6M1T2CR Chip