1N5804US
DIODE GEN PURP 100V 1.1A
Číslo dílu
1N5804US
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SQ-MELF
Dodavatelský balíček zařízení
-
Typ diody
Standard
Aktuální – Opravený průměr (Io)
1.1A
Napětí - Forward (Vf) (Max) @ If
875mV @ 1A
Proud - Reverzní únik @ Vr
1µA @ 100V
Napětí - Reverzní DC (Vr) (Max)
100V
Rychlost
Fast Recovery = 200mA (Io)
Reverzní doba zotavení (trr)
25ns
Provozní teplota - křižovatka
-
Kapacita @ Vr, F
25pF @ 5V, 1MHz
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19668 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova 1N5804US
1N5804US Elektronické komponenty
1N5804US Odbyt
1N5804US Dodavatel
1N5804US Distributor
1N5804US Datová tabulka
1N5804US Fotky
1N5804US Cena
1N5804US Nabídka
1N5804US Nejnižší cena
1N5804US Vyhledávání
1N5804US Nákup
1N5804US Chip