STB200N6F3
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Číslo dílu
STB200N6F3
Výrobce/značka
Série
STripFET™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
330W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.6 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5082 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STB200N6F3
STB200N6F3 Elektronické komponenty
STB200N6F3 Odbyt
STB200N6F3 Dodavatel
STB200N6F3 Distributor
STB200N6F3 Datová tabulka
STB200N6F3 Fotky
STB200N6F3 Cena
STB200N6F3 Nabídka
STB200N6F3 Nejnižší cena
STB200N6F3 Vyhledávání
STB200N6F3 Nákup
STB200N6F3 Chip