STD100N10F7
MOSFET N CH 100V 80A DPAK
Číslo dílu
STD100N10F7
Výrobce/značka
Série
DeepGATE™, STripFET™ VII
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
120W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
61nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4369pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54607 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STD100N10F7
STD100N10F7 Elektronické komponenty
STD100N10F7 Odbyt
STD100N10F7 Dodavatel
STD100N10F7 Distributor
STD100N10F7 Datová tabulka
STD100N10F7 Fotky
STD100N10F7 Cena
STD100N10F7 Nabídka
STD100N10F7 Nejnižší cena
STD100N10F7 Vyhledávání
STD100N10F7 Nákup
STD100N10F7 Chip