STD60N55F3
MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
Číslo dílu
STD60N55F3
Výrobce/značka
Série
STripFET™ III
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.5 mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2200pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54246 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STD60N55F3
STD60N55F3 Elektronické komponenty
STD60N55F3 Odbyt
STD60N55F3 Dodavatel
STD60N55F3 Distributor
STD60N55F3 Datová tabulka
STD60N55F3 Fotky
STD60N55F3 Cena
STD60N55F3 Nabídka
STD60N55F3 Nejnižší cena
STD60N55F3 Vyhledávání
STD60N55F3 Nákup
STD60N55F3 Chip