Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STE110NS20FD
MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP
Číslo dílu
STE110NS20FD
Výrobce/značka
Série
MESH OVERLAY™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
ISOTOP
Dodavatelský balíček zařízení
ISOTOP®
Ztráta energie (max.)
500W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
24 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
504nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39006 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STE110NS20FD
STE110NS20FD Elektronické komponenty
STE110NS20FD Odbyt
STE110NS20FD Dodavatel
STE110NS20FD Distributor
STE110NS20FD Datová tabulka
STE110NS20FD Fotky
STE110NS20FD Cena
STE110NS20FD Nabídka
STE110NS20FD Nejnižší cena
STE110NS20FD Vyhledávání
STE110NS20FD Nákup
STE110NS20FD Chip