Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STF9HN65M2
MOSFET N-CH 650V 5.5A TO-220FP
Číslo dílu
STF9HN65M2
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ M2
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220FP
Ztráta energie (max.)
20W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
820 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
325pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12189 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STF9HN65M2
STF9HN65M2 Elektronické komponenty
STF9HN65M2 Odbyt
STF9HN65M2 Dodavatel
STF9HN65M2 Distributor
STF9HN65M2 Datová tabulka
STF9HN65M2 Fotky
STF9HN65M2 Cena
STF9HN65M2 Nabídka
STF9HN65M2 Nejnižší cena
STF9HN65M2 Vyhledávání
STF9HN65M2 Nákup
STF9HN65M2 Chip