STH110N10F7-6
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
Číslo dílu
STH110N10F7-6
Výrobce/značka
Série
DeepGATE™, STripFET™ VII
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Dodavatelský balíček zařízení
H2PAK-6
Ztráta energie (max.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.5 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5117pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22969 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STH110N10F7-6
STH110N10F7-6 Elektronické komponenty
STH110N10F7-6 Odbyt
STH110N10F7-6 Dodavatel
STH110N10F7-6 Distributor
STH110N10F7-6 Datová tabulka
STH110N10F7-6 Fotky
STH110N10F7-6 Cena
STH110N10F7-6 Nabídka
STH110N10F7-6 Nejnižší cena
STH110N10F7-6 Vyhledávání
STH110N10F7-6 Nákup
STH110N10F7-6 Chip