Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STI20N60M2-EP
MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220
Číslo dílu
STI20N60M2-EP
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ M2-EP
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
278 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
21.7nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
787pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7873 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STI20N60M2-EP
STI20N60M2-EP Elektronické komponenty
STI20N60M2-EP Odbyt
STI20N60M2-EP Dodavatel
STI20N60M2-EP Distributor
STI20N60M2-EP Datová tabulka
STI20N60M2-EP Fotky
STI20N60M2-EP Cena
STI20N60M2-EP Nabídka
STI20N60M2-EP Nejnižší cena
STI20N60M2-EP Vyhledávání
STI20N60M2-EP Nákup
STI20N60M2-EP Chip