STN1N20
MOSFET N-CH 200V 1A SOT223
Číslo dílu
STN1N20
Výrobce/značka
Série
MESH OVERLAY™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-223
Ztráta energie (max.)
2.9W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15.7nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
206pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39854 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STN1N20
STN1N20 Elektronické komponenty
STN1N20 Odbyt
STN1N20 Dodavatel
STN1N20 Distributor
STN1N20 Datová tabulka
STN1N20 Fotky
STN1N20 Cena
STN1N20 Nabídka
STN1N20 Nejnižší cena
STN1N20 Vyhledávání
STN1N20 Nákup
STN1N20 Chip