STS20N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
Číslo dílu
STS20N3LLH6
Výrobce/značka
Série
DeepGATE™, STripFET™ VI
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.7W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.7 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1690pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18869 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STS20N3LLH6
STS20N3LLH6 Elektronické komponenty
STS20N3LLH6 Odbyt
STS20N3LLH6 Dodavatel
STS20N3LLH6 Distributor
STS20N3LLH6 Datová tabulka
STS20N3LLH6 Fotky
STS20N3LLH6 Cena
STS20N3LLH6 Nabídka
STS20N3LLH6 Nejnižší cena
STS20N3LLH6 Vyhledávání
STS20N3LLH6 Nákup
STS20N3LLH6 Chip