STS30N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
Číslo dílu
STS30N3LLH6
Výrobce/značka
Série
DeepGATE™, STripFET™ VI
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.7W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4040pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53456 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STS30N3LLH6
STS30N3LLH6 Elektronické komponenty
STS30N3LLH6 Odbyt
STS30N3LLH6 Dodavatel
STS30N3LLH6 Distributor
STS30N3LLH6 Datová tabulka
STS30N3LLH6 Fotky
STS30N3LLH6 Cena
STS30N3LLH6 Nabídka
STS30N3LLH6 Nejnižší cena
STS30N3LLH6 Vyhledávání
STS30N3LLH6 Nákup
STS30N3LLH6 Chip