Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STU6N65K3
MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK
Číslo dílu
STU6N65K3
Výrobce/značka
Série
SuperMESH3™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
I-PAK
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.3 Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
880pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49604 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STU6N65K3
STU6N65K3 Elektronické komponenty
STU6N65K3 Odbyt
STU6N65K3 Dodavatel
STU6N65K3 Distributor
STU6N65K3 Datová tabulka
STU6N65K3 Fotky
STU6N65K3 Cena
STU6N65K3 Nabídka
STU6N65K3 Nejnižší cena
STU6N65K3 Vyhledávání
STU6N65K3 Nákup
STU6N65K3 Chip