STV200N55F3
MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10
Číslo dílu
STV200N55F3
Výrobce/značka
Série
STripFET™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Dodavatelský balíček zařízení
10-PowerSO
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
55V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5567 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STV200N55F3
STV200N55F3 Elektronické komponenty
STV200N55F3 Odbyt
STV200N55F3 Dodavatel
STV200N55F3 Distributor
STV200N55F3 Datová tabulka
STV200N55F3 Fotky
STV200N55F3 Cena
STV200N55F3 Nabídka
STV200N55F3 Nejnižší cena
STV200N55F3 Vyhledávání
STV200N55F3 Nákup
STV200N55F3 Chip