Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STW70N60DM2
MOSFET N-CH 600V 66A
Číslo dílu
STW70N60DM2
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ DM2
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247
Ztráta energie (max.)
446W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
66A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
42 mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
121nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5508pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19119 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STW70N60DM2
STW70N60DM2 Elektronické komponenty
STW70N60DM2 Odbyt
STW70N60DM2 Dodavatel
STW70N60DM2 Distributor
STW70N60DM2 Datová tabulka
STW70N60DM2 Fotky
STW70N60DM2 Cena
STW70N60DM2 Nabídka
STW70N60DM2 Nejnižší cena
STW70N60DM2 Vyhledávání
STW70N60DM2 Nákup
STW70N60DM2 Chip