Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STWA48N60DM2
MOSFET
Číslo dílu
STWA48N60DM2
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ DM2
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247 Long Leads
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
79 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3250pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30937 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STWA48N60DM2
STWA48N60DM2 Elektronické komponenty
STWA48N60DM2 Odbyt
STWA48N60DM2 Dodavatel
STWA48N60DM2 Distributor
STWA48N60DM2 Datová tabulka
STWA48N60DM2 Fotky
STWA48N60DM2 Cena
STWA48N60DM2 Nabídka
STWA48N60DM2 Nejnižší cena
STWA48N60DM2 Vyhledávání
STWA48N60DM2 Nákup
STWA48N60DM2 Chip