Koupit Taiwan Semiconductor Corporation TSM600N25ECH C5G MOSFET N-CHANNEL 250V 8A TO251

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

TSM600N25ECH C5G

MOSFET N-CHANNEL 250V 8A TO251

Číslo dílu

TSM600N25ECH C5G

Výrobce/značka

Taiwan Semiconductor Corporation

Série

Stav sekce

Active

Obal

Tube

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

150°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balíček/pouzdro

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Dodavatelský balíček zařízení

TO-251 (IPAK)

Ztráta energie (max.)

52W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

250V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

8A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

600 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

8.4nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

423pF @ 25V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

VGS (max.)

±30V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 14727 PCS

Kontaktní informace

Související produkty