Koupit Taiwan Semiconductor Corporation TSM6502CR RLG MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

TSM6502CR RLG

MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN

Číslo dílu

TSM6502CR RLG

Výrobce/značka

Taiwan Semiconductor Corporation

Série

Stav sekce

Active

Obal

Tape & Reel (TR)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

8-PowerTDFN

Výkon - Max

40W

Dodavatelský balíček zařízení

8-PDFN (5x6)

Typ FET

N and P-Channel

Funkce FET

Standard

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

60V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

24A (Tc), 18A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

34 mOhm @ 5.4A, 10V, 68 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

1159pF @ 30V, 930pF @ 30V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 7579 PCS

Kontaktní informace

Související produkty