Koupit Taiwan Semiconductor Corporation TSM650N15CS RLG MOSFET N-CHANNEL 150V 9A 8SOP

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

DataSheets

TSM650N15CS RLG

MOSFET N-CHANNEL 150V 9A 8SOP

Číslo dílu

TSM650N15CS RLG

Výrobce/značka

Taiwan Semiconductor Corporation

Série

Stav sekce

Active

Obal

Cut Tape (CT)

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Dodavatelský balíček zařízení

8-SOP

Ztráta energie (max.)

12.5W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

150V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

9A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

65 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

1783pF @ 75V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

6V, 10V

VGS (max.)

±20V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 14305 PCS

Kontaktní informace

Související produkty